Samsung ได้ประกาศว่าขณะนี้กำลังผลิตโมดูล Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) ขนาด 1TB ฝังตัวเป็นครั้งแรกในโลกสำหรับโทรศัพท์ ซัมซุงตั้งข้อสังเกตว่าโมดูลตัวเองมีขนาดเดียวกันกับชิป 512GB ที่พบใน Galaxy Note 9
Samsung สามารถบรรลุผลนั้นด้วยการใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี V-NAND ซึ่งเซลล์ NAND จะเรียงซ้อนกันในแนวตั้งเพื่อเพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพสูงสุด Samsung กำลังต่อเนื่องความเร็วในการอ่านสูงถึง 1000Mbps และความเร็วในการเขียน 260Mbps ซึ่งควรเปิดใช้งานโมดูลหน่วยเก็บข้อมูลเพื่อให้การบันทึกวิดีโอต่อเนื่องแม้ที่ 960fps
รองประธานฝ่ายการตลาดหน่วยความจำของ Samsung Cheol Choi กล่าวว่าโมดูล eUFS ขนาด 1TB จะมีบทบาทสำคัญในการ "นำประสบการณ์ผู้ใช้ที่มีลักษณะเหมือนโน้ตบุ๊กมาสู่อุปกรณ์มือถือรุ่นต่อไป" ดีเจซีอีโอมือถือของ Samsung กล่าวในการให้สัมภาษณ์เมื่อต้นสัปดาห์ที่ผ่านมาว่า Galaxy S10 จะตอบสนองความต้องการของลูกค้าและการให้พื้นที่เก็บข้อมูลภายในขนาด 1TB เป็นวิธีหนึ่งในการทำเช่นนั้น
